TPS73733QDRBRQ1具有反向電流保護(hù)和使能功能的汽車級1A超低壓降穩(wěn)壓器
產(chǎn)品型號：TPS73733QDRBRQ1
產(chǎn)品品牌：TI/德州儀器
產(chǎn)品封裝：SON8
產(chǎn)品功能：超低壓降穩(wěn)壓器
TPS73733QDRBRQ1特性
●符合汽車類 應(yīng)用要求
●具有符合 AEC-Q100 標(biāo)準(zhǔn)的下列特性：
器件溫度等級 1：–40°C 至 125°C 環(huán)境工作溫度范圍
器件 HBM ESD 分類等級 2
器件 CDM ESD 分類等級 C4A
●與 1µF 或更大的陶瓷輸出電容器一起工作時保持穩(wěn)定
●輸入電壓范圍：2.2V 至 5.5V
●超低壓降：1A 為 130mV（典型值）
●即使使用僅為 1µF 的輸出電容器，也能實現(xiàn)出色的負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)
●NMOS 拓?fù)淇商峁┑头聪蚵╇娏?/span>
●初始精度為 1%
●整個線路、負(fù)載和溫度范圍內(nèi)的精度達(dá) 3%
●關(guān)斷模式下靜態(tài)電流小于 20nA（典型值）
●通過熱關(guān)斷和電流限制實現(xiàn)故障保護(hù)
●提供了多個輸出電壓版本
TPS73733QDRBRQ1說明
TPS73733QDRBRQ1線性低壓降 (LDO) 穩(wěn)壓器系列在電壓跟隨器配置中使用了 NMOS 旁路元件。該拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)對輸出電容值和等效串聯(lián)電阻 (ESR) 的敏感度相對較低，從而實現(xiàn)多種負(fù)載配置。即使使用 1µF 的小型陶瓷輸出電容器，也能實現(xiàn)出色的負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)。NMOS 拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)也可實現(xiàn)極低壓降。
TPS73733QDRBRQ1系列利用先進(jìn)的 BiCMOS 工藝實現(xiàn)高精度，同時提供極低的壓降和低接地引腳電流。未啟用時的電流消耗低于 20nA，適用于便攜式 應(yīng)用。這些器件受到熱關(guān)斷和折返電流限制的保護(hù)。
