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FQA28N50 功率 MOSFET,N 溝道,QFET?,500 V,28.4 A,160 mΩ,TO-3P
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功率 MOSFET
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■產(chǎn)品名稱:FQA28N50
■功能名稱:功率 MOSFET,N 溝道,QFET®,500 V,28.4 A,160 mΩ,TO-3P
■概要:
此類 N 溝道 MOSFET 增強(qiáng)型電場效應(yīng)晶體管是使用安森美半導(dǎo)體的平面條紋 DMOS 專屬技術(shù)生產(chǎn)的。此先進(jìn)技術(shù)特別適用于最大程度降低導(dǎo)通電阻,提供卓越的開關(guān)性能,可承受雪崩和換相模式下的高能量脈沖。此類器件非常適用于高效開關(guān)模式電源、功率因數(shù)校正、基于半橋的電子燈鎮(zhèn)流器。
■特征:
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●28.4 A、500 V、RDS(on) = 160 mΩ(最大值)( VGS = 10 V、ID = 14.2 A)
●低柵極電荷(典型值 110 nC)
●低 Crss(典型值 60 pF)
●100% 經(jīng)過雪崩擊穿測試
●符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)
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- FQA28N50 功率 MOSFET,N 溝道,QFET?,500 V,28.4 A,160 mΩ,TO-3P
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