TDA21472 功率級(jí)包含與肖特基二極管以及高側(cè)和低側(cè) MOSFET 共同封裝的低靜態(tài)電流同步降壓柵極驅(qū)動(dòng)器 IC。當(dāng)遵循布局指南時(shí)，該封裝針對(duì) PCB 布局、熱傳遞、驅(qū)動(dòng)器/MOSFET 控制時(shí)序和最小開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)振鈴進(jìn)行了優(yōu)化。柵極驅(qū)動(dòng)器和 MOSFET 組合可在尖端 CPU、GPU 和 DDR 內(nèi)存設(shè)計(jì)所需的較低輸出電壓下實(shí)現(xiàn)更高效率。
與一流的基于控制器的電感 DCR 檢測(cè)方法相比，具有溫度補(bǔ)償功能的 TDA21472 內(nèi)部 MOSFET 電流檢測(cè)算法可實(shí)現(xiàn)卓越的電流檢測(cè)精度。保護(hù)包括具有可編程閾值的逐周期過(guò)流保護(hù)、VCC/VDRV UVLO 保護(hù)、相位故障檢測(cè)、IC 溫度報(bào)告和熱關(guān)斷。TDA21472 還具有自舉電容器的自動(dòng)補(bǔ)充功能，以防止過(guò)度放電。TDA21472具有深度睡眠省電模式，可大大降低多相系統(tǒng)進(jìn)入PS3/PS4模式時(shí)的功耗。
