40V 單個(gè) N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用無鉛 D2-Pak 封裝
■特征:
●優(yōu)化分銷合作伙伴的廣泛可用性
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●根據(jù) JEDEC 標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行產(chǎn)品驗(yàn)證
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●針對(duì)10V柵極驅(qū)動(dòng)電壓進(jìn)行了優(yōu)化(稱為正常電平)
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●硅片針對(duì)低于<100KHz的應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化
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●與上一代產(chǎn)品相比,體二極管更加柔軟
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●工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)通表面安裝功率封裝
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●高電流承載能力封裝(高達(dá)195A,芯片面積可變化)
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●可用于波焊